PROJETOS

Nas últimas décadas o silício, o segundo material mais abundante da Terra e o componente essencial dos transistores, dispositivos essenciais nas indústrias da computação, tem ficado cada vez mais escasso. Desde a pandemia, o uso de aparelhos eletrônicos no mundo inteiro tem crescido exponencialmente, juntamente com a demanda de fabricação destes dispositivos, tornando assim o silício gradativamente mais caro e surgindo a tão falada crise do silício. Para contornar essa crise, a proposta do projeto parte do princípio de tentar encontrar outro material com propriedades semicondutoras que substitua o silício. Desta forma o projeto tem como objetivo principal a construção de um transistor funcional a base de grafeno que possa ser utilizado em circuitos eletrônicos. A escolha do grafeno se deve por vários fatores, como: possuir mobilidade eletrônica (cerca de cem vezes mais alta que a do silício); o tamanho da molécula (que tem a espessura de um átomo, facilitando no processo de miniaturização de eletrônicos); sua composição química, que é feita apenas de carbono, material abundante e fácil de ser explorado, além da diminuição gradativa do preço do grafeno devido às pesquisas realizadas na área. Para isto, a metodologia do projeto está dividida em etapas, onde a primeira visa uma revisão bibliográfica com o objetivo de estruturar a base teórica do trabalho e também identificar possíveis métodos e técnicas que possam ser utilizadas, enquanto a etapa dois descreve a montagem de filmes finos de dióxido de vanádio para produção de transistores de mott. A etapa 3 reúne os dados observados da etapa 2 para produção do mesmo transistor de mott, só que à base de grafeno, com as adaptações necessárias realizadas, sintetizando filmes finos desse material, bem como sua caracterização e propriedades semicondutoras.